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FD-SOI Sphere: Technologies | Tags: body bias, bonded wafer, FD-SOI, multi-Vt design, partially depleted SOI What is FD-SOI and why is it useful? Fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI), …
而且SOI衬底杜绝了substrate和well之间的leakage电流，静态功耗进一步降低。 但是由于其是平面的器件，相比同样layout尺寸的Finfet，驱动电流小（一般来说Fin height较高，可以克服fin space带来 …
FD-SOI还是2D planar结构，但是使用了不同的Wafer（Wafer不再是以前的纯硅Wafer，而是类似三明治的结构，在Wafer上做绝缘层（二氧化硅比硅能提供天然的绝缘屏障）。 FD-SOI和FINFET相比，并 …
首先 FD SOI 的沟道不需要掺杂，因为未掺杂的足够薄的 silicon 才能做到全耗尽。当然你的观点本身就有问题，电子是Source和Drain和 Bulk 跑到沟道形成耗尽层的，不只是从衬底来的。 其次，为什么 …
不太擅长海德格尔，说的不一定对。 “此在”（Dasein）这个词由两个成分构成：一个是sein，sein是德语中ist的不定式变体，而德语中的ist可以理解为英语中的is，因而sein就可以理解为不定式to be，这 …
硅基光子学-SOI光波导方向，研究生怎么快速入门？ 我的毕设题目是《基于布拉格光栅的多模波导反向模式滤波器优化设计》 内容要求：通过波导模式理论设计一种多模硅基波导，并对各模式的色散特 …
图2、端面耦合器结构示意图 SOI端面耦合器结构如图3所示，包括Si taper波导，上包层。为了将波导内部模场尽量放大，需要降低波导与包层的折射率差，采用折射率与硅相近的材料，如polymer、SIN …
在硅基光电子应用中，主流的SOI平台，还有SiN平台，为什么都是用二氧化硅作为上包层，不能用折射率更低的空气作为上包层，这样的泄露损耗会更低吗，还是说… 显示全部 关注者 8 被浏览
IBM的SOI技术已经发展了很多代，不同的工艺节点和应用场景会使用不同类型的SOI衬底。 这里主要介绍IBM在常规SOI（Bulk SOI）和FD-SOI（Fully Depleted SOI）两种工艺下的典型SOI衬底选择以及 …
SO 是 Shing Order 的简称，即为 装运通知书 、 订舱确认书。指接受了托运人提出装运的申请的船公司签发给托运人的用以命令船长将承运的货物装箱的单据。 拿到S/O后，车队需要打单，并按照打单纸 …
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